LDMOS FET工作原理

發(fā)布時間：

2024-06-10 00:19

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LDMOS FET是一種特殊設(shè)計(jì)的MOSFET，具有橫向的雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)。其主要特點(diǎn)是在晶體管的表面形成了PN結(jié)，從而增強(qiáng)了其耐壓能力。LDMOS FET的工作原理可以分為導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài)。
在導(dǎo)通狀態(tài)下，當(dāng)施加在柵極上的電壓高于閾值電壓時，形成的電場使得溝道區(qū)域?qū)щ姟Ｔ贚DMOS FET中，電子通過柵極進(jìn)入溝道，受電場作用漂移到漏極，并形成電流。由于LDMOS FET的雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)，可以承受較高的耐壓，并且具有較低的導(dǎo)通電阻。
而在截止?fàn)顟B(tài)下，當(dāng)柵極電壓低于閾值時，電場無法形成，導(dǎo)致溝道區(qū)域不導(dǎo)電。因此，在截止?fàn)顟B(tài)下，LDMOS FET不會導(dǎo)通電流。這種導(dǎo)通和截止之間的切換使得LDMOS FET在功率放大和開關(guān)應(yīng)用中得以發(fā)揮重要作用。
總而言之，LDMOS FET通過其特殊的結(jié)構(gòu)和工作原理，實(shí)現(xiàn)了高功率、高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)，是功率領(lǐng)域中常用的關(guān)鍵器件之一。

LDMOS FET在通信行業(yè)的應(yīng)用方案

LDMOS FET產(chǎn)品介紹

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